スイスの半導体大手ＳＴマイクロエレクトロニクスはこのほど、電気自動車（ＥＶ）やソーラーパネル、産業用アプリケーション向けの窒化ガリウム（ＧａＮ）ベースのトランジスタデバイスの大手サプライヤーである仏Exaganの過半数株を取得する契約を結んだと発表した。出資額や出資比率は公表していない。

Exaganは2014年に設立され、仏南東部グルノーブルに本社を置き、パワー・エレクトロニクス業界でシリコン（Ｓｉ）ベースの技術からＧａＮ―ｏｎ―Ｓｉ技術への移行に注力。同社のＧａＮパワー・スイッチは、標準的な200ｍｍウエハー工場で製造できるよう設計されている。

ＳＴはExaganを傘下に収めることで、薄膜結晶成長技術の一つである「エピタキシャル成長」に関する同社の専門性、製品開発やアプリケーションのノウハウを活用し、車載・産業・コンシューマー機器に向けた、パワーＧａＮ製品の事業を拡大し、加速することが可能になるとしている。

2020/3/19