オランダの基幹半導体のネクスペリア（Nexperia）はこのほど、次世代高耐圧技術「GaN HEMT H2」を採用し、「TO-247」パッケージと同社独自の「ＣＣＰＡＫ」表面実装パッケージに封止した次世代の650Ｖの窒化ガリウム（ＧａＮ）技術を発表した。高い安定性とともに優れたスイッチング性能指数（ＦＯＭ）とオン状態の性能を提供するほか、アプリケーション設計の簡素化を可能にするとしている。

新技術はエピ貫通ビアを採用しており、不具合を低減するとともにダイ・サイズを約24％縮小。最初にリリースする従来のTO-247パッケージ製品では、オン抵抗を最大41mΩに低減すると同時に、高いスレッショルド電圧と低ダイオード順方向電圧を提供する。

ＣＣＰＡＫ表面実装パッケージ製品では、オン抵抗をさらに最大39mΩに低減。カスコード構成されていることから、標準シリコンＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）ドライバーを使用した駆動も容易という。

両製品とも、自動車向け電子部品評議会（Automotive Electronics Council）の車載アプリケーション向け規格「ＡＥＣ―Ｑ101」に準拠し、サンプル供給を開始している。

ネクスペリアは、オランダの半導体大手ＮＸＰセミコンダクターズのスタンダード・プロダクト事業部門を前身としている。

2020/6/19